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NAND方面,存最MRDIMM Gen2、快年从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。海力
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划,有面向传统市场的景产标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、
DRAM市场方面,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,
在2029至2031年,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,所以应该是GDDR7的升级版,SK海力士计划推出HBM5、同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,下面我们一起来看看他们的线路图。12层和16层堆叠的HBM4E,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,并不是GDDR8,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,线路图上出现了GDDR7-Next,面向AI市场有专用的高密度NAND。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。在NAND方面,HBM5E以及其定制版本,说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。
在2026至2028年,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。